最先端半導体3次元・⾼密度実装プロセスに貢献する精密洗浄技術
半導体デバイスの高機能化、処理速度の高速化を達成するため、これまで半導体業界では電子回路形成の微細化技術が追求されてきました。しかしながら、電子回路の微細加工技術には、物理的な限界が近づいてきているとされています。そこで、今後の半導体高性能化を担う新たな技術として、Fan-Out Wafer Level Package(FO-WLP)やFan-Out Panel Level Package(FO-PLP)、貫通電極 TSV(Through Silicon Via)を介したCu-Cu接合といった3次元実装技術に注目が集まっています。
これら半導体アドバンスドパッケージの製造プロセスには、半導体ウエハーや、半導体チップなど非常に薄い層をハンドリングする工程があります。ハンドリングを補助するために、ガラスキャリアなどのサポート材にウエハーやチップを仮貼り合わせし、最終的には分離するTemporary bonding/de-bonding(TBDB)プロセスと呼ばれる工程です。仮貼り合わせに用いられる仮固定材として、ポリイミド(PI)やポリベンゾオキサゾール(PBO)に代表されるレジストや半導体テープが用いられています。
半導体テープ・レジストの残渣を除去することで高い表面清浄度を実現します
仮固定材に由来する残渣がデバイスやサポート材に残留すると、ボイド発生等の積層不良につながるため、TBDBプロセス後、仮固定材は完全に除去される必要があります。しかしながら、仮固定材が長時間にわたり高温やレーザーに晒された場合、除去困難な残渣が発生することがあります。花王では、基材に影響を与えることなく、残渣のみを選択的に除去する洗浄・剥離技術の開発により、加速する最先端半導体の高度化に貢献します。
ラインナップ
品番 | UR series(開発品) | KS-7600K |
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洗浄対象 | テープ | 液状レジスト |
使用方法 | 原液使用 | 原液使用 |
特徴 | 高温処理、レーザー照射等により生じた難洗浄残渣の除去 周辺部材(金属、絶縁樹脂)への低ダメージを両立 |
高いレジスト溶解性 周辺部材(金属、絶縁樹脂)への低ダメージを両立 |