表面性を改善したい

高温で焼結・接合されるパワー半導体モジュールにおいて、高い洗浄力と同時に銅等の金属表面の酸化被膜を除去することで、後工程に適した表面性に改善可能です。

ドライフィルムを用いたC4 bumpの形成において、一般的な剥離剤では強アルカリにより溶けてしまうSnを保護しつつ、高剥離性は維持する事により微細なSn bumpが形成可能となります。

シリコンウエハーの製造においてパーティクル付着を防止するために、花王の超親水化技術を用いる事によってウエハー表面の濡れ広がり性を飛躍的に改善し、工程削減や歩留まりに貢献できます。