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セリア系CMP研磨剤(スラリー) ルナフラットシリーズ

研磨速度と材料選択性に優れた、シリコン酸化膜のCMP研磨剤

高速・高密度化がますます求められる半導体デバイスにおいて、層間絶縁膜(SiO₂)の平坦化工程(CMP)は非常に重要なプロセスの一つです。

花王は、『花王の界面制御技術』と『ユニークなセリア砥粒』を組合せ、SiO₂膜CMPにおける材料選択比コントロールや高速研磨等、様々なご要望にお応えする研磨剤を開発・提供いたします。

セリア系CMP研磨剤 ルナフラットシリーズ

優れた材料選択性・平坦性と高い研磨速度を実現


1
膜種毎にケミカル吸脱着をコントロール

研磨選択性向上の図

研磨選択性向上

平坦性向上の図

平坦性向上

2
表面改質技術でセリア表面を活性化、高い研磨速度を実現

セリア砥粒は電子を供与することでSiO₂膜を軟化する特性を有しています。独自の改質技術で更に活性化されたセリア砥粒を用いることで、ルナフラットはSiO₂膜を効率良く研磨します。

セリア砥粒の研磨機構:物理力+反応性 “セリア砥粒の高活性化”が高速研磨の重要因子

セリア砥粒の研磨機構:物理力+反応性 “セリア砥粒の高活性化”が高速研磨の重要因子

セリア砥粒の研磨機構:物理力+反応性 “セリア砥粒の高活性化”が高速研磨の重要因子

研磨性能例 (製品:ルナフラット CP-4501)


研磨速度 (砥粒濃度:0.3%)

研磨荷重[psi]グラフ

研磨荷重[psi]表

研磨荷重[psi]表

研磨荷重[psi]表

平坦性

平坦性線グラフ

平坦性表

平坦性表

平坦性表

SiO2膜CMP工程にて解決したい課題がございましたら、ぜひ当社にお声掛け下さい。

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