研磨速度と材料選択性に優れた、シリコン酸化膜のCMP研磨剤
高速・高密度化がますます求められる半導体デバイスにおいて、層間絶縁膜(SiO₂)の平坦化工程(CMP)は非常に重要なプロセスの一つです。
花王は、『花王の界面制御技術』と『ユニークなセリア砥粒』を組合せ、SiO₂膜CMPにおける材料選択比コントロールや高速研磨等、様々なご要望にお応えする研磨剤を開発・提供いたします。
優れた材料選択性・平坦性と高い研磨速度を実現
研磨選択性向上
平坦性向上
セリア砥粒は電子を供与することでSiO₂膜を軟化する特性を有しています。独自の改質技術で更に活性化されたセリア砥粒を用いることで、ルナフラットはSiO₂膜を効率良く研磨します。
研磨性能例 (製品:ルナフラット CP-4501)
研磨速度 (砥粒濃度:0.3%)
平坦性
SiO2膜CMP工程にて解決したい課題がございましたら、ぜひ当社にお声掛け下さい。